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onsemi NXH800A100L4Q2F2S2G
| Artikelnummer: | NXH800A100L4Q2F2S2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $124.276 |
| 36+ | $121.6319 |
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onsemi NXH800A100L4Q2F2S2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NXH800A100L4Q2F2S2G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1000 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 400A Supplier Device-Gehäuse 51-PIM/Q2PACK (93x47) Serie - Leistung - max 714 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 49.7 nF @ 20 V Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Strom - Collector Cutoff (Max) 20 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 309 A Konfiguration Three Level Inverter Grundproduktnummer NXH800 -
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